Estudio de la región de energía prohibida en sólidos con estructura de diamante: Aplicación a Silicio Si
DOI:
https://doi.org/10.15381/rif.v21i2.20232Palabras clave:
Orbitales LMTO, bandas de energía y DOS, red cristalina de diamanteResumen
La energía prohibida del silicio con estructura cristalina de diamante se determinó indirectamente a partir de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados DOS en el estado fundamental T = 0°K. Usando el método de los orbitales lineales Muffin-Tin (LMTO) junto con un potencial efectivo se resolvió la ecuación de Schrödinger del solido y se obtuvo las bandas de energía y la densidad de estados. La energía total mínima de -16.85 Ry por celda unitaria, ocurre para una máxima transferencia de la carga a las esferas vacías en la diagonal de la red cristalina. El gap de energía prohibida asociada es de 0.099 Ry que equivale a 1.35 eV, un valor cercano al gap experimental de 1.17 eV que ya existe en la literatura.
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Derechos de autor 2018 César Cabrera
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