COMPARACION DE ESTADOS BONDING Y ANTIBONDING EN Si DIAMANTE Y FCC

Autores/as

  • Luis Flores Instituto de Investigación de Física, Universidad Nacional Mayor de San Marcos Apartado postal 14-0149, Av. Venezuela y Universitaria, Lima, Perú
  • Hans Nowak Instituto de Investigación de Física, Universidad Nacional Mayor de San Marcos Apartado postal 14-0149, Av. Venezuela y Universitaria, Lima, Perú

DOI:

https://doi.org/10.15381/rif.v9i02.8593

Palabras clave:

COOP, COHP, Silicio, estado bonding, estado antibonding.

Resumen

Usando la base “Augmented Spherical Waves (ASW)” se calcula y discute las cantidades “Cristal Orbital Overlap Population (COOP)” y “Cristal Orbital Hamiltonian Population (COHP)” del Silicio; que dan información sobre la formación de estados bonding y antibonding, y por consiguiente sobre la estabilidad en el sistema. El cálculo se realiza en Si con celdas diamante y FCC, comparándola luego para su posterior interpretación. El cálculo de estas estructuras nos indica una fuerte inestabilidad del Si FCC, produciendo una fuerte tensión interna. Esta inestabilidad es debido a la gran cantidad de estados antibonding en todo el cristal.

Descargas

Publicado

2006-12-29

Número

Sección

Artículo

Cómo citar

COMPARACION DE ESTADOS BONDING Y ANTIBONDING EN Si DIAMANTE Y FCC. (2006). Revista De Investigación De Física, 9(02), 68-75. https://doi.org/10.15381/rif.v9i02.8593