MEDIDA DEL ÍNDICE DE REFRACCIÓN COMPLEJO Y DE LA BANDA DE ENERGÍA PROHIBIDA DEL SEMICONDUCTOR CdSe

Autores/as

  • Juan Carlos Gonzalez Gonzalez Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Facultad de Ciencias Físicas, Laboratorio de Alto Vacío y Películas Delgadas. Lima, Perú
  • César Augusto Chung Chang Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Facultad de Ciencias Físicas, Laboratorio de Alto Vacío y Películas Delgadas. Lima, Perú
  • Carlos León N. Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Facultad de Ciencias Físicas, Laboratorio de Alto Vacío y Películas Delgadas. Lima, Perú

DOI:

https://doi.org/10.15381/rif.v3i01-02.8604

Palabras clave:

Índice de refracción, semiconductor, película delgada, CdSe

Resumen

Determinamos el índice de refracción complejo (N) de una película delgada semiconductora de seleniuro de cadmio, CdSe, a través de las medidas del espectro de transmitancia. El experimento nos permitió obtener, de la parte real del índice de refracción la ley de dispersión de N, y de la parte imaginaria, el coeficiente de absorción. Se realiza un análisis de la dependencia sobre la energía del coeficiente de absorción para obtener el valor de la banda prohibida del semiconductor y la naturaleza de la transición óptica.

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Publicado

2000-11-30

Número

Sección

Artículo

Cómo citar

MEDIDA DEL ÍNDICE DE REFRACCIÓN COMPLEJO Y DE LA BANDA DE ENERGÍA PROHIBIDA DEL SEMICONDUCTOR CdSe. (2000). Revista De Investigación De Física, 3(01-02), 17-23. https://doi.org/10.15381/rif.v3i01-02.8604