TRANSPORTE ELECTRÓNICO EN CUASICRISTALES

Autores/as

  • C. V. Landauro Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Nacional Mayor de San Marcos Ap. Postal 14-0149, Lima 14, Perú.

DOI:

https://doi.org/10.15381/rif.v8i01.8836

Palabras clave:

Cuasicristales, Transporte electrónico, Cálculos ab-initio.

Resumen

La dependencia de la temperatura de los coeficientes de transporte es examinada teóricamente en diferentes fases del sistema Al-Cu-Fe. Los cálculos presentados en éste trabajo están dirigidos principalmente a la conductividad y la termopotencia eléctrica. La dependencia espectral de la resistividad es modelada por medio de funciones Lorentzianas, en concordancia con nuestros resultados ab-initio, los cuales emplean la base de orbitales lineales muffin-tin (LMTO) y la fórmuia de Kubo-Greenwood (basada en la teoría de respuesta lineal) para obtener la resistividad espectral. Éste modelo extrae las propiedades de los resultados ab-initio que son indispensables para explicar consistentemente los coeficientes de transporte arriba mencionados. Los resultados numéricos presentados en el presente trabajo se encuentran en buen acuerdo con los valores encontrados experimentalmente.

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Publicado

2005-07-15

Número

Sección

Artículo

Cómo citar

TRANSPORTE ELECTRÓNICO EN CUASICRISTALES. (2005). Revista De Investigación De Física, 8(01), 54-58. https://doi.org/10.15381/rif.v8i01.8836