Evolución de la cristalización y la morfología superficial de películas delgadas de Cu en substratos de SiO2/Si tratadas térmicamente

Autores/as

  • Daniel Hurtado Salinas Laboratorio de Cerámicos y Nanomateriales, Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Nacional Mayor de San Marcos
  • Angel Bustamante Domínguez Laboratorio de Cerámicos y Nanomateriales, Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Nacional Mayor de San Marcos
  • Lizbet León Felix Laboratorio de Cerámicos y Nanomateriales, Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Nacional Mayor de San Marcos. Cavendish Laboratory, University of Canbridge, J.J. Thomson
  • Luis De los Santos Valladares Cavendish Laboratory, University of Canbridge, J.J. Thomson. Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
  • Yutaka Majima Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology. CREST-JST, 4259 Nagatsuta-cho

DOI:

https://doi.org/10.15381/rif.v13i01.8849

Palabras clave:

Peliculas delgadas de Cu, subratos de SiO2/Si, MEB, DRX, cristalizacion, morfologia superficial, siliciuros de Cu

Resumen

En este trabajo se estudia la morfología y cristalización de la superficie de películas delgadas de Cu (expuestos al medio ambiente) sobre sustratos de SiO2/Si. Las muestras fueron sometidas a tratamientos térmicos mediante el uso de un horno tubular, en un rango de temperaturas comprendidas entre 250ºC y 1000ºC durante 3 horas para luego ser enfriadas a razón de 1.4ºC/min. La cristalización de las muestras luego de los tratamientos térmicos fueron caracterizadas mediante difracción de Rayos X (DRX), mientras que la morfología de la superficie se analizo usando Microscopia Electrónica de Barrido (MEB). Los resultados obtenidos fueron analizados y encontramos que la temperatura de recocido mas optima que mejor la dirección (111) en la pelicula de cobre y que permite conocer la dinámica de los átomos de la superficie del sistema Cu/SiO2 con respecto a la temperatura, está comprendida en el rango de 400 y 500ºC. Durante todo el proceso de recocido las superficies de las muestras se oxidan y notamos la presencia de siliciuros de cobre

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Publicado

2010-07-15

Número

Vol. 13 Núm. 01 (2010)

Sección

Artículo

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Derechos de autor 2010 Daniel Hurtado Salinas, Angel Bustamante Domínguez, Lizbet León Felix, Luis De los Santos Valladares, Yutaka Majima

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Cómo citar

Evolución de la cristalización y la morfología superficial de películas delgadas de Cu en substratos de SiO2/Si tratadas térmicamente. (2010). Revista De Investigación De Física, 13(01), 1-7. https://doi.org/10.15381/rif.v13i01.8849