Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
Palabras clave:
Orbitales LMTO, bandas de energía, densidad de estadosResumen
En este trabajo se realiza el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total para el estado fundamental del germanio y de los compuestos binarios galio-fosforo y silicio-carbón usando el método LMTO-ASA. Con la teoría del funcional de la densidad (DFT) se calcula un potencial inicial de interacción en la aproximación de la densidad local de spin (LDA) para el término de intercambio y correlación. Con este potencial se resuelve la ecuación de Kohn-Sham para el sistema cristalino y se obtienen las bandas de energía y la densidad de estados (DOS).
Descargas
Publicado
Número
Sección
Licencia
Derechos de autor 2015 C. Cabrera, M. H. Poma
Esta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0.
La Revista Peruana de Química e Ingeniería Química de la Facultad de Química e Ingeniería Química de la Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Lima, Perú se distribuye bajo una Licencia Creative Commons Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional.
Basada en una obra en http://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/index.
LOS AUTORES RETIENEN SUS DERECHOS:
a. Los autores retienen sus derechos de marca y patente, y tambien sobre cualquier proceso o procedimiento descrito en el artículo.
b. Los autores retienen el derecho de compartir, copiar, distribuir, ejecutar y comunicar públicamente el articulo publicado en la Revista Peruana de Química e Ingeniería Química (por ejemplo, colocarlo en un repositorio institucional o publicarlo en un libro), con un reconocimiento de su publicación inicial en la Revista Peruana de Química e Ingeniería Química.
c. Los autores retienen el derecho a hacer una posterior publicación de su trabajo, de utilizar el artículo o cualquier parte de aquel (por ejemplo: una compilación de sus trabajos, notas para conferencias, tesis, o para un libro), siempre que indiquen la fuente de publicación (autores del trabajo, revista, volumen, numero y fecha).
