Estructura electrónica en sistemas cristalinos de Ge, GaP y SiC

Autores/as

  • César Cabrera Universidad Nacional Mayor de San Marcos. Lima, Perú
  • Máximo Poma Universidad Nacional Mayor de San Marcos. Lima, Perú

DOI:

https://doi.org/10.15381/rif.v20i2.15164

Palabras clave:

bandas de energía, densidad de estados, red cristalina

Resumen

Se estudia la estructura electrónica de los cristales de Germanio y de los compuestos cristalinos de Galio-Fosforo y de Silicio-Carbón, usando un potencial funcional de la densidad local de spin (LDA) y el método LMTO se calculan las bandas de energía, la banda de energía prohibida, la densidad de estados DOS, la energía total del sistema cristalino. Las propiedades electrónicas se ajustan bien a los resultados experimentales.

Biografía del autor/a

  • César Cabrera, Universidad Nacional Mayor de San Marcos. Lima, Perú

    Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Ap. Postal 14-0149, Lima, Perú
    Universidad Nacional del Callao, Av. Juan Pablo II S/N, Bella-Vista, Callao, Perú

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Publicado

2018-01-30

Número

Sección

Artículo

Cómo citar

Estructura electrónica en sistemas cristalinos de Ge, GaP y SiC. (2018). Revista De Investigación De Física, 20(2), 1-4. https://doi.org/10.15381/rif.v20i2.15164