Estructura electrónica de aleación AlAs con red zincblende, calculadas con el método LMTO
DOI:
https://doi.org/10.15381/rif.v23i1.20284Palabras clave:
semiconductors, LMTO orbitals, zincblende latticeResumen
Se presenta la estructura de bandas de energía, la densidad de estados, la energía prohibida y energía total calculadas con el método de los orbitales lineales mun-tin (LMTO) en el marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT). Se usó un potencial parametrizado en la aproximación de la densidad local (LDA) que usa la aproximación de Barh-Hedin para el término de intercambio y correlación. La estructura electrónica resultó con una brecha indirecta de energía prohíbida de 2.203 eV asociada a la energía total mínima de −18.10 Ry que se acomodan bien a los resultados experimentales.
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Derechos de autor 2020 César Cabrera
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