Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe
DOI:
https://doi.org/10.15381/rif.v24i3.20448Palabras clave:
Semiconductores, Teoría de funcionales de densidad, estructura de banda, acoplamiento espín-órbitaResumen
Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador de reversión temporal. El propósito principal de este trabajo es analizar la evolución del estado de superficie en las aleaciones HgTe y CdTe observando la inversión de bandas y el efecto de los orbitales atómicos d en la inversión de las bandas y la intensidad del acoplamiento espín-órbita. Los resultados fueron obtenidos usando la teoría de funcionales de densidad con aproximación local de densidad de espín y la corrección de Hubbard (SLDA+U) considerando efectos relativistas y polarización de espín.
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Derechos de autor 2021 Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca, Pablo Héctor Rivera Riofano
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