Caracterización de aleaciones semiconductoras por espectroscopia Raman

Autores/as

  • Veronica Espinoza Carrasco Facultad de Matemática y Ciencias Naturales, Universidad Nacional del Callao, Bellavista-Callao.
  • Whualkuer Lozano Bartra Facultad de Matemática y Ciencias Naturales, Universidad Nacional del Callao, Bellavista-Callao. Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Nacional Mayor de San Marcos Ap. Postal 14-0149, Lima 14, Perú

DOI:

https://doi.org/10.15381/rif.v12i02.8710

Palabras clave:

Aleaciones, Excitaciones colectivas, Concentración de portadores.

Resumen

El efecto del desorden estructural en el esparcimiento Raman de los modos acoplados plasmón - fonón LO, fue estudiado en aleaciones AlxGa1-xAs dopadas con Silicio. Las asimetrías de las líneas Raman nos permitió la observación de estos modos debido a que la simetría traslacional del cristal fue destruida. El análisis de la posición y la forma de sus líneas espectrales proporciona información sobre la concentración de los portadores y los efectos del desorden estructural del material. Observamos que la concentración efectiva de portadores medida en Raman difiere de la concentración nominal dada por el fabricante, lo cual sugiere posibles pérdidas en el proceso de evaporación del Silicio o al exceso de tiempo de evaporación. Los resultados fueron verificados por medidas de Capacitancia versus Voltaje para dos muestras.

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Publicado

2009-12-31

Cómo citar

Espinoza Carrasco, V., & Lozano Bartra, W. (2009). Caracterización de aleaciones semiconductoras por espectroscopia Raman. Revista De Investigación De Física, 12(02), 16–20. https://doi.org/10.15381/rif.v12i02.8710

Número

Sección

Artículo