Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC). Revista Peruana de Química e Ingeniería Química, [S. l.], v. 18, n. 1, p. 9–15, 2015. Disponível em: https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718.. Acesso em: 5 may. 2024.