[1]
“Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)”, Rev. peru. quím. ing. quim., vol. 18, no. 1, pp. 9–15, Jun. 2015, Accessed: May 06, 2024. [Online]. Available: https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718