Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC). Rev. peru. quím. ing. quim. [Internet]. 2015 Jun. 15 [cited 2024 May 6];18(1):9-15. Available from: https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718