CALCULO AB-INITIO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DEL TOPACIO Al2SiO4(F,OH)2

Autores/as

  • Luis Flores Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Apartado postal 14-0149, Av. Venezuela y Universitaria, Lima, Perú.
  • Javier Gómez Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Apartado postal 14-0149, Av. Venezuela y Universitaria, Lima, Perú.
  • Hans Nowak Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Apartado postal 14-0149, Av. Venezuela y Universitaria, Lima, Perú.
  • Angel Bustamante Domínguez Universidad Nacional Mayor de San Marcos, Apartado postal 14-0149, Av. Venezuela y Universitaria, Lima, Perú.

DOI:

https://doi.org/10.15381/rif.v9i02.8588

Palabras clave:

Estructura de bandas, DOS, Topacio, Flúor.

Resumen

En este trabajo se realizó el cálculo ab-initio de la estructura de bandas y DOS del Topacio con Flúor (F) e Hidróxido (OH) en el estado fundamental, con el modelo TB-LMTO-ASA. La celda convencional de estos 2 cristales no presentan las mismas dimensiones, debido al reemplazo de iones F por moléculas OH. Los estados energéticos se verán afectados por esta nueva estructura con OH, haciendo variar el comportamiento de las bandas, de la DOS y por lo tanto variando las propiedades ópticas del cristal.

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Publicado

2006-12-29

Número

Sección

Artículo

Cómo citar

CALCULO AB-INITIO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DEL TOPACIO Al2SiO4(F,OH)2. (2006). Revista De Investigación De Física, 9(02), 47-52. https://doi.org/10.15381/rif.v9i02.8588