Transiciones intrabandas en superredes semiconductoras dimerizadas
DOI:
https://doi.org/10.15381/rif.v14i02.8705Palabras clave:
Superredes semiconductoras, GaAs, AlGaAs, 2DEG, enmarañamiento cuantico.Resumen
En algunos dispositivos, el funcionamiento de los mismos está basado en las transiciones interbandas en la que los electrones y los huecos se recombinan emitiendo fotones en la región del visible e infrarrojo. En una superred se forman minibandas con determinados gaps entre los cuales se puede inducir transiciones intrabandas cuyos fotones emitidos se encuentren en la región del infrarrojo y las microondas. En el presente trabajo, desarrollamos un modelo que permite calcular las probabilidades por unidad de tiempo de tales transiciones y que nos permiten identificar las transiciones que se usan en los láseres de cascada cuántica. Para ello, simulamos dos tipos de superredes, el primero con pozos de 100 Å y el segundo con dos pozos dimerizados de 100 y 150 Å. En el primero, identificamos claramente tres transiciones para una transición de cascada y en el segundo, no se observa la posibilidad de transiciones en cascada. Pero, encontramos una posible evidencia de la competición del enmarañamiento cuántico de los autoestados pertenecientes a los pozos de 100 y 150 Å.
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Derechos de autor 2011 D. I. Arrieta, P. H. Rivera
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