Estudio de propiedades estructurales y electrónicas de GaSb:V
DOI:
https://doi.org/10.15381/rif.v24i3.21418Palabras clave:
GaSb:V, Microscopio de Fuerza Atómica, Propiedades Electrónicas, Semiconductores III-VResumen
El semiconductor binario antimoniuro de galio ha tenido muchas aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos en los últimos años. El estudio de sus defectos en los materiales semiconductores es de vital interés para este tipo de aplicaciones. Pero, además de la caracterización rutinaria del semiconductor sin dopar, es necesario la caracterización de los efectos que producen las impurezas eléctricamente activas en las muestras dopadas. En este trabajo se estudiaron las propiedades estructurales y electrónicas del semiconductor binario antimoniuro de galio dopado con vanadio (GaSb:V) por medio de un Microscopio de Fuerza Atómica. El barrido de su superficie se realizó en el modo tapping para obtener imágenes de la topografía y de los perfiles topográficos de la muestra, mientras las propiedades electrónicas se determinaron a través de las curvas I vs V conseguidas mediante el modo contacto.
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Derechos de autor 2021 Roxani Yaringaño, Rodolfo Sonco
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