Estructura electrónica en sistemas cristalinos de Ge, GaP y SiC

César Cabrera, Máximo Poma

Resumen


Se estudia la estructura electrónica de los cristales de Germanio y de los compuestos cristalinos de Galio-Fosforo y de Silicio-Carbón, usando un potencial funcional de la densidad local de spin (LDA) y el método LMTO se calculan las bandas de energía, la banda de energía prohibida, la densidad de estados DOS, la energía total del sistema cristalino. Las propiedades electrónicas se ajustan bien a los resultados experimentales.

Palabras clave


bandas de energía; densidad de estados; red cristalina

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